2013年天津大学813半导体物理考研试题（回忆版）
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2013年天津大学813半导体物理考研试题（回忆版）
1.隧道二极管的所有性质，试卷问的非常仔细，方方面面都考到了。2.深能级杂质，包括电离等性质。3.理想PN结，理想MIS。4.定义：有效质量，空穴，准费米能级，欧姆接触，简并半导体。（这是名词解释的所有题）5.应变硅异质结。6.光电池的开路电压，短路电流，相应的图像，最好掌握推导过程。7.如何制作硅太阳能电池和光伏探测器。（这是新题，从未出现过）8.宽禁带半导体和窄禁带半导体做的激光器。9.重掺杂的N AL GaAs 与GaAs相比为什么有高的迁移率。N AL GaAs书上有两处相关概念，今年全都考到了。10.计算题算空穴浓度，就是书上的公式直接套就行，非常简单。第二个计算题有点难度，涉及到了连续性方程，如果把书上所有的连续性方程包括解法相关性质都掌握，那这个题也是很好求的。 …… 更多内容，点击附件下载查看。 本试题由kaoyan.com网友Ukee扣扣提供来源地址：[url=http://bbs.kaoyan.com/t4922545p1]http://bbs.kaoyan.com/t4922545p1[/url] 请点击以下链接进入《2013年天津大学813半导体物理考研试题（回忆版）》下载页面：
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