2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题（回忆版）
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上海交通大学2012年874半导体物理与器件基础考研试题（回忆版）
一.半导体光电发光效应基本原理及计算本征吸收限。考了三年了，充分说明半导体物理后面的光电磁效应部分没啥可以出题的了。 二.半导体光注入时的准费米能级计算。 三.金半接触：首先计算半导体的功函数。其次，根据半导体功函数与铝以及金的功函数比较，说明其形成的金半接触是阻挡层还是反阻挡层。15分 …… 更多内容，请下载附件查看。 本试题由kaoyan.com网友zhaoshuaiabc提供来源地址：[url=http://bbs.kaoyan.com/t4072762p1]http://bbs.kaoyan.com/t4072762p1[/url] 请点击以下链接进入《2012年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研试题（回忆版）》下载页面：
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