2014年合肥工业大学②半导体器件物理考研复试试题（回忆版）
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2014年合肥工业大学②半导体器件物理考研复试试题（回忆版）
1、特征频率，MOS管饱和区漏极电流不饱和原因，扩散电容与势垒电容的区别 2、两种MOSFET的小尺寸效应及对各种器件的影响 …… 更多内容，点击附件下载查看。 本试题由kaoyan.com网友xt2010569提供，来源地址：[url=http://bbs.kaoyan.com/t5212513p1]http://bbs.kaoyan.com/t5212513p1[/url] 请点击以下链接进入《2014年合肥工业大学②半导体器件物理考研复试试题（回忆版）》下载页面：
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